氮化镓在射频领域的应用优势

     自从20年前第一批商用产品问世,GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手,并且,正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时出现,但GaN-on-SiC在技术上已经变得更加成熟。GaN-on-SiC目前主导了RF GaN市场,已渗透到4G LTE无线基础设施市场,预计将部署在5G sub-6Ghz的RRH架构中。

射频氮化镓市场前景分析

     在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下,预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。过去十年,全球对电信基础设施的投资一直很稳定,并且,中国政府的投入近年持续增长。在这个稳定的市场中,更高的频率趋势,为RF GaN在5G网络频率低于6GHz(sub-6Ghz)的功率放大器(PA)中找到了用武之地。

氮化镓专利分布

      Knowmade检索并分析了全球公开的1700多个专利家族,超过3750项专利。涉及RF GaN外延片、RF半导体器件、集成电路、工艺方法和封装,包括所有细分领域,如RF功率放大器、RF开关和RF滤波器,以及从6GHz到大于20GHz毫米波RF器件。
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